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　　1．石英坩堝可在1450度以下使用，分透明和不透明兩種。用電弧法制的半透明石英坩堝是拉制大直徑單晶硅，發(fā)展大規(guī)模集成電路必不可少的基礎(chǔ)材料。當(dāng)今，世界半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)達(dá)國(guó)家已用此坩堝取代了小的透明石英坩堝。他具有高純度、耐溫性強(qiáng)、尺寸大精度高、保溫性好、節(jié)約能源、質(zhì)量穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。

　　2、不能和HF接觸，高溫時(shí)，極易和苛性堿及堿金屬的碳酸鹽作用。

　　3．石英坩堝適于用K2S2O7，KHSO4作熔劑熔融樣品和用Na2S207(先在212度烘干)作熔劑處理樣品。

　　4．石英質(zhì)脆，易破，使用時(shí)要注意。

　　5．除HF外，普通稀無(wú)機(jī)酸可用作清洗液。國(guó)內(nèi)常用拉制單晶硅用石英坩堝18英寸和20英寸22英寸也有廠(chǎng)家使用22及以上的坩堝。目前國(guó)內(nèi)坩堝生產(chǎn)大廠(chǎng)家生產(chǎn)的坩堝技術(shù)都比較成熟。其生產(chǎn)使用原料石英砂由美國(guó)進(jìn)口和挪威高純石英砂兩種。也有小廠(chǎng)使用國(guó)產(chǎn)料其原料生產(chǎn)的石英坩堝對(duì)拉制單晶硅時(shí)其穩(wěn)定性都有一定影響。

　　目前坩堝生產(chǎn)涂層技術(shù)已被大多數(shù)廠(chǎng)家使用就是在普通石英砂溶制的坩堝表面涂上一層二氧化鋇溶液使其形成致密層，其致密層能阻止單晶硅高溫拉制過(guò)程中硅與石英坩堝反應(yīng)提高成晶率。